La Gazette du Canada, Partie I, volume 160, numéro 17 : Décret modifiant la Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôlée

Le 25 avril 2026

Fondement législatif
Loi sur les licences d’exportation et d’importation

Ministère responsable
Ministère des Affaires étrangères, du Commerce et du Développement

RÉSUMÉ DE L’ÉTUDE D’IMPACT DE LA RÉGLEMENTATION

(Le présent résumé ne fait pas partie du Décret.)

Enjeux

Le gouvernement du Canada administre un système de licences qui régit l’exportation de marchandises et de technologies sensibles. Ce système joue un rôle important en aidant le gouvernement à faire progresser la paix et la sécurité internationales, à honorer les accords internationaux du Canada et à prévenir les préjudices au pays. Les contrôles doivent être mis à jour périodiquement pour tenir compte des progrès technologiques ou des changements dans l’utilisation des marchandises et des technologies, ou pour combler des lacunes dans le cadre des contrôles à l’exportation qui pourraient causer des préjudices.

Le Décret modifiant la Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôlée (décret proposé) ajouterait de nouveaux contrôles liés aux semi-conducteurs et aux ensembles qui en contiennent ainsi qu’à la fabrication de pointe, y compris des contrôles sur les équipements de lithographie, les équipements de dépôt épitaxial, les équipements de dépôt pour la fabrication de semi-conducteurs, les cartes électroniques contenant des dispositifs logiques programmables par l’utilisateur, les circuits intégrés informatiques avancés et les assemblages électroniques, ainsi que les poudres spécialisées utilisées dans la fabrication additive.

La mise en place de ces nouveaux contrôles est nécessaire pour faire face au risque croissant que ces articles soient exportés ou détournés à des fins contraires aux intérêts du Canada en matière de sécurité et de politique étrangère. Ces dernières années, les progrès rapides dans le domaine du calcul à haute performance et de la fabrication de semi-conducteurs ont accru le potentiel d’utilisation de ces technologies dans l’élaboration de systèmes militaires, y compris l’intelligence artificielle, l’aérospatiale et les applications d’armes de précision. Parallèlement, le Canada, ses partenaires et ses alliés envisagent et mettent en œuvre des mesures nationales distinctes des contrôles multilatéraux traditionnels des exportations. Les modifications proposées à la Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôlée permettraient au Canada de suivre ces évolutions, d’empêcher les transferts préjudiciables et de maintenir sa position de longue date en matière de sauvegarde de la paix et de la sécurité.

Le décret proposé consolidera et rationalisera également les contrôles existants relatifs aux équipements de fabrication de semi-conducteurs afin qu’ils soient plus faciles à lire et à comprendre.

Contexte

Cadre de réglementation

La Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôlée (LMTEC) est un règlement pris en vertu de la Loi sur les licences d’exportation et d’importation (LLEI). La LMEC énumère les marchandises et les technologies dont l’exportation du Canada vers d’autres destinations est contrôlée. Leur exportation ne peut être effectuée qu’en vertu d’une licence délivrée par le ministre des Affaires étrangères à un résident du Canada.

Régimes multilatéraux de contrôle des exportations et de non-prolifération

La LMEC est généralement modifiée automatiquement par incorporation par renvoi afin de l’aligner sur les accords internationaux conclus avec les partenaires de quatre régimes multilatéraux de contrôle des exportations et de non-prolifération destinés à empêcher la prolifération des armes de destruction massive et des capacités militaires connexes, à fournir un cadre commun pour l’identification des marchandises et technologies sensibles et à contribuer à garantir la cohérence et l’efficacité des mesures nationales.

Les quatre régimes ont chacun un objectif distinct. Il s’agit de l’Arrangement de Wassenaar, qui porte sur les armes conventionnelles et les articles à double usage^{référence 1}; du Groupe des fournisseurs nucléaires, qui porte sur les matières, les équipements et les technologies nucléaires; du Régime de contrôle de la technologie des missiles, qui porte sur les missiles balistiques et les vecteurs de drones; et du Groupe d’Australie, qui porte sur les articles liés aux armes chimiques et biologiques.

Contrôles nationaux

Étant donné que les régimes multilatéraux fonctionnent par consensus, leur capacité à mettre à jour les listes de contrôle en temps opportun a parfois été limitée. Qui plus est, l’évolution rapide des technologies sensibles ayant de potentielles applications militaires a accru la nécessité d’apporter des réponses plus souples.

Pour relever ces défis, le Canada, en collaboration avec ses alliés et partenaires, a mis en place des contrôles nationaux coordonnés en dehors des structures régimentaires officielles, de sorte que les cadres de contrôle des exportations demeurent à jour et efficaces. Par exemple, le Canada a modifié la LMEC en 2024 et en 2025 pour y ajouter de nouveaux articles dans le groupe 5 (Marchandises et technologies diverses) qui aligne la LMEC sur les contrôles mis en place par les partenaires et alliés en Amérique du Nord, en Europe, dans le Pacifique Sud et en Asie. Ces nouveaux contrôles régissent l’exportation de marchandises et de technologies sensibles et émergentes, notamment les ordinateurs quantiques et les équipements de fabrication de semi-conducteurs avancés, les technologies d’impression 3D et les revêtements à haute température utilisables dans les applications militaires.

Technologies des semi-conducteurs et fabrication de pointe

Le Canada va maintenant de l’avant avec ses alliés et partenaires pour élaborer des contrôles liés aux semi-conducteurs et aux ensembles qui en contiennent, ainsi qu’à la fabrication avancée. Ces technologies sont préoccupantes, car elles sont à la base de la production de semi-conducteurs avancés et de composants de fabrication de pointe qui peuvent améliorer les capacités militaires. Les équipements de lithographie et de dépôt sont essentiels à la fabrication des microprocesseurs les plus petits et les plus rapides, qui sont de plus en plus utilisés dans les systèmes d’intelligence artificielle, de commande et de contrôle et de surveillance. Les cartes et les circuits intégrés permettent des applications de calcul à haute performance qui peuvent être appliquées au développement de l’aérospatiale et de l’armement. Des poudres de fabrication additive spécialisées facilitent la production de pièces avancées ayant des applications militaires ou à double usage.

Objectif

L’objectif du décret proposé est de veiller à ce que le cadre de contrôle des exportations du Canada suive le rythme —et contrôle l’exportation — des technologies en évolution rapide qui peuvent être utilisées à des fins militaires. En contrôlant l’exportation de ces marchandises et technologies, le Canada vise à prévenir et à décourager leur exportation vers des utilisateurs finaux non autorisés et leur utilisation potentielle d’une manière qui pourrait nuire à la sécurité internationale. Le décret proposé alignerait également le cadre du Canada sur ceux de ses alliés et partenaires.

Description

Le décret proposé vise à ajouter les marchandises et technologies suivantes destinées aux semi-conducteurs et aux ensembles qui en contiennent, ainsi qu’à la fabrication avancée, à la LMTEC dans le Groupe 5 – article 5506 (Marchandises et technologies diverses) :

1. Équipements de lithographie : Équipements utilisés dans la fabrication des semi-conducteurs pour transférer des schémas de circuits complexes sur des tranches de silicium, ce qui constitue une étape critique dans la fabrication des micropuces.
2. Équipements de dépôt épitaxial : Équipements utilisés dans la fabrication des semi-conducteurs pour appliquer une fine couche cristalline sur une tranche de silicium. Cet équipement joue un rôle clé dans l’amélioration du rendement des dispositifs à semi-conducteurs.
3. Équipements de dépôt pour la fabrication de semi-conducteurs : Équipements utilisés pour déposer des couches ultrafines de matériaux sur des tranches afin de construire des structures microscopiques sur les semi-conducteurs. Ces équipements sont utilisés pour fabriquer des processeurs de pointe.
4. Cartes contenant des dispositifs logiques programmables par l’utilisateur : Ensembles de cartes de circuits, cartes ou modules incorporant certains circuits intégrés qui peuvent être reconfigurés après la fabrication. Ils sont souvent appelés Â« circuits à matrice de portes programmables par l’utilisateur (FPGA) Â».
5. Ensembles électroniques et circuits intégrés de calcul : Circuits intégrés à haute performance (puces électroniques) ainsi que tout ordinateur ou ensemble électronique qui les contient. Cette catégorie ne vise que les microprocesseurs les plus avancés.
6. Poudres contenant des inoculants utilisées dans la fabrication additive : Poudres utilisées pour l’impression 3D (fabrication additive) qui contiennent des additifs spéciaux (inoculants) utilisés pour former des microstructures plus solides et plus fiables lors de l’impression de métaux. Ces poudres peuvent permettre la fabrication de pièces de haute performance qui seraient autrement contrôlées.

Le décret proposé aurait pour effet d’obliger les exportateurs de ces marchandises et technologies à obtenir une licence d’Affaires mondiales Canada avant de les exporter du Canada. Ces contrôles s’appliqueraient aux exportations de marchandises ainsi qu’à la « technologie Â» au sens de la LLEI, qui s’entend des données techniques, de l’assistance technique et des renseignements nécessaires à la mise au point, à la production ou à l’utilisation d’un article figurant sur la LMEC.

Le décret proposé consoliderait et rationaliserait également les contrôles du groupe 5 relatifs aux équipements de fabrication de semi-conducteurs afin qu’ils soient plus faciles à comprendre et à aligner sur les contrôles similaires du Groupe 1 (Double usage) de la LMEC.

Élaboration de la réglementation

Consultation

Conformément à une pratique de longue date, Affaires mondiales Canada s’est engagé auprès d’une série d’intervenants canadiens à évaluer les incidences potentielles des contrôles proposés. Le Ministère a consulté la majorité des intervenants qui seraient concernés, dont plus de 15 organisations industrielles et universitaires représentant les secteurs des semi-conducteurs, de l’aérospatiale et de la défense, de la fabrication de pointe et de la recherche sur l’intelligence artificielle. Dans l’ensemble, les consultations ont confirmé qu’il est peu probable que les contrôles proposés aient des conséquences importantes pour les entreprises ou les instituts de recherche canadiens, considérant que les articles ne sont que peu ou pas du tout produits ou fabriqués au Canada. Le cas échéant, le retour d’information a permis d’affiner les contrôles afin qu’ils restent ciblés, proportionnés et cohérents avec les mesures adoptées par les pays partenaires.

Certains intervenants ont également noté que les entreprises des États-Unis pourraient être empêchées d’exporter vers le Canada si ce dernier ne mettait pas en place des contrôles conformes au décret proposé, ce qui pourrait avoir des répercussions sur la collaboration en matière de recherche et sur les possibilités d’affaires.

Mobilisation des Autochtones, consultation et obligations découlant des traités modernes

Conformément à la Directive du Cabinet sur l’approche fédérale pour la mise en Å“uvre des traités modernes, une analyse a été réalisée pour déterminer si ces modifications pouvaient donner lieu à des obligations découlant des traités modernes. Affaires mondiales Canada a effectué une première évaluation de la portée géographique et de l’objet de l’initiative relative aux traités modernes en vigueur et n’a relevé aucune incidence potentielle sur les traités modernes.

Choix de l’instrument

Si les marchandises et technologies qu’il est proposé d’ajouter à la LMEC peuvent avoir des utilisations civiles légitimes, elles peuvent également servir dans des systèmes militaires, notamment des systèmes de commandement et de contrôle activés par l’intelligence artificielle, des systèmes de surveillance, des plateformes aérospatiales avancées et des armes à guidage de précision. Si leur exportation était autorisée sans mesures de protection, il existe un risque qu’elles soient détournées, qu’elles fassent l’objet d’un trafic ou qu’elles soient utilisées pour porter atteinte à la sécurité internationale ou menacer les intérêts du Canada en matière de sécurité. L’ajout de ces articles à la LMEC permettrait de s’assurer qu’ils ne sont pas exportés aux fins de leur utilisation dans des programmes contraires aux intérêts du Canada en matière de sécurité nationale et internationale.

Lorsque le Canada contrôle des marchandises et des technologies hors des régimes multilatéraux de contrôle des exportations et de non-prolifération, un décret doit être pris pour modifier la LMEC afin que ces articles soient directement inscrits. Le décret proposé ajouterait de nouveaux contrôles au Groupe 5 (Marchandises et technologies diverses), qui comprend une série d’articles allant du bois d’œuvre aux marchandises et technologies stratégiques.

Comme le Canada a déterminé que l’exportation des marchandises et technologies recensées devait être contrôlée parce qu’elles pourraient être utilisées dans des programmes d’armement militaires ou illicites, il a été déterminé que la LMTEC était la seule option pour mettre en œuvre de tels contrôles. Aucune autre option n’a été envisagée.

Analyse de la réglementation

Avantages et coûts

Les secteurs des semi-conducteurs et de la fabrication de pointe sont d’importants moteurs économiques pour le Canada. Statistique Canada estime qu’en 2020, l’industrie des semi-conducteurs a généré une production totale de 28,8 milliards de dollars et qu’il s’agit d’un marché en croissance. Un prévisionniste du secteur privé (disponible en anglais seulement) a suggéré un taux de croissance annuel composé de 8 % à 11 % de 2023 à 2030. Selon un cabinet de recherche du secteur privé (disponible en anglais seulement), la valeur du secteur canadien de la fabrication additive pourrait passer de 1,7 milliard de dollars américains en 2023 à 6,7 milliards de dollars américains d’ici 2030, soit un taux de croissance annuel composé d’environ 22 %.

Ces deux secteurs dépendent largement des importations, de sorte que leur croissance dépend de la volonté des partenaires internationaux d’échanger avec le Canada des technologies sensibles ou de les laisser transiter par le Canada. Par exemple, en 2020, l’industrie canadienne des semi-conducteurs dépendait d’importations d’une valeur de 7,3 milliards de dollars.

Les contrôles proposés sont semblables à ceux appliqués par les partenaires internationaux et ont été définis de manière à inspirer la confiance des partenaires internationaux tout en réduisant au minimum le fardeau sur l’industrie canadienne.

Avantages

Le décret proposé contribuerait à protéger le Canada et ses alliés de conséquences négatives pour la sécurité internationale en limitant l’exportation de ces marchandises et technologies de pointe et en garantissant un examen et un contrôle minutieux des transactions proposées à l’exportation. Ces contrôles permettraient d’éviter que le Canada ne soit utilisé comme point de transit pour les exportateurs d’autres pays cherchant à contourner leur législation nationale. Ils permettraient également d’éviter que d’autres gouvernements refusent d’exporter des semi-conducteurs ou des marchandises ou technologies de fabrication de pointe au Canada en raison de contrôles à l’exportation jugés inadéquats.

Coûts

Les exportateurs de marchandises soumises aux nouveaux contrôles devront obtenir une licence avant d’exporter vers toutes les destinations autres que les États-Unis.

La majorité des coûts liés à la demande de licences s’appliquerait aux entreprises des secteurs des semi-conducteurs et de la fabrication de pointe. On s’attend à ce que seul un petit nombre d’universités et de chercheurs demandent des licences pour exporter des renseignements techniques liées à l’élaboration de produits soumis aux nouveaux contrôles, car les contrôles ne s’appliquent pas aux technologies relevant du domaine public, à la recherche scientifique fondamentale ou aux renseignements minimaux nécessaires pour les demandes de brevet.

Bien que les secteurs des semi-conducteurs et de la fabrication de pointe soient en pleine croissance au Canada, cette proposition ne devrait pas avoir d’impact significatif sur les entreprises canadiennes, car la plupart des articles (équipements de fabrication des semi-conducteurs de pointe, microprocesseurs et ordinateurs de pointe et poudre d’alliages à haute entropie et de métaux réfractaires) ne sont pas produits, fabriqués ou utilisés actuellement au Canada. Comme l’ont souligné les intervenants, la capacité du Canada à développer la fabrication ou le commerce de ces technologies dépend de l’alignement des contrôles sur ceux des principaux alliés et partenaires.

Dans cette optique, il est prévu qu’Affaires mondiales Canada reçoive 15 nouvelles demandes de la part de l’industrie au cours de l’année 1, pour un total de 22 demandes supplémentaires au cours de l’année 10.

Coûts pour le gouvernement

Affaires mondiales Canada devrait engager des frais pour traiter jusqu’à 22 demandes de licence supplémentaires par an. Il s’agit d’un coût administratif supplémentaire minime pour le Ministère, qui a traité en moyenne 5 693 demandes pour des marchandises et des technologies stratégiques et militaires par an entre 2014 et 2024. De même, compte tenu du faible nombre d’exportations prévues, l’Agence canadienne des services frontaliers ne devrait supporter qu’un coût supplémentaire minime pour appliquer les contrôles à l’exportation (validation des licences au passage de la frontière, détention des exportations non conformes, etc.). On prévoit également que certaines de ces exportations n’auraient pas lieu à la frontière, mais plutôt par transferts par des moyens immatériels, comme le courrier électronique ou l’infonuagique.

Par conséquent, le décret proposé ne devrait pas nécessiter de nouvelles ressources, une infrastructure spécialisée ou des changements importants aux pratiques existantes.

Coûts pour l’industrie

Les exportateurs devront engager des frais pour demander une licence d’exportation afin d’exporter (vers des destinations autres que les États-Unis) l’un des articles ajoutés à la LMEC en application du décret proposé. Le coût administratif supplémentaire pour les exportateurs devrait être de 18,91 $ par demande, en supposant que le temps moyen consacré à chaque demande est de 30 minutes et que le salaire horaire moyen (y compris les frais généraux) des demandeurs est de 37,82 $. Ces chiffres sont présentés en dollars de 2024.

Des frais supplémentaires peuvent également devoir être engagés dans certains cas. Par exemple, les demandeurs devraient attendre que leur demande soit traitée. Dans la plupart des cas, la norme de service est de 10 jours ouvrables. Comme ces articles ne sont pas encore fabriqués pour la vente, les coûts seraient probablement minimes. Les non-résidents souhaitant exporter ces articles devraient faire appel à un courtier en douane ou à un résident pour déposer une demande en leur nom. Cette situation concerne généralement moins de 2,5 % des demandes. En outre, les demandeurs peuvent également avoir à supporter le coût des pertes commerciales si une licence d’exportation est refusée et qu’un autre acheteur ne peut être trouvé. Ce coût varie en fonction de la valeur de l’exportation proposée. Cela dit, les taux de refus sont généralement inférieurs à 1 %.

Lentille des petites entreprises

L’analyse au titre de la lentille des petites entreprises a permis de conclure que le décret proposé aurait une incidence sur les petites entreprises qui travaillent avec les marchandises et les technologies qu’il est proposé d’ajouter à la liste.

Il a été déterminé qu’il n’y a pas de possibilités pratiques de réduire le fardeau réglementaire sur les petites entreprises (par exemple en réduisant les normes de service pour les petites entreprises ou en exemptant ces dernières des exigences en matière de licence) parce que les nouveaux contrôles sont motivés par des considérations de sécurité. En revanche, Affaires mondiales Canada soutient les petites entreprises en leur apportant de l’aide tout au long du processus de demande au moyen d’une ligne d’assistance téléphonique et d’une boîte aux lettres électronique dédiées, ainsi qu’une assistance en ligne dans le système électronique de délivrance des licences, et en communiquant de façon continue avec l’agent chargé des licences affecté à chaque demande.

Règle du « un pour un Â»

La règle du « un pour un Â» s’applique puisqu’il y a une augmentation progressive du fardeau administratif des entreprises. La proposition est donc considérée comme un « ajout Â» en application de cette règle. Le décret proposé n’ajouterait ni ne supprimerait de titres réglementaires en application de la règle du « un pour un Â».

On estime que le décret proposé entraînerait un coût administratif total annualisé de 128 $ pour les entreprises touchées, en supposant que jusqu’à 14 entreprises soumettraient au total jusqu’à 22 demandes de licences annuellement d’ici l’année 10. Les exportateurs devraient consacrer en moyenne 30 minutes par demande, ce qui est plus long que pour les autres demandes, car ces nouveaux contrôles devraient être décrits avec précision dans une demande. On suppose que le salaire moyen des demandeurs de licences d’exportation (frais généraux compris) est de 35,75 $ l’heure.

Conformément au Règlement sur la réduction de la paperasse, l’évaluation des incidences administratives a été réalisée pour une période de 10 ans. Les valeurs dans la présente section sont présentées en dollars de 2012 et actualisées en fonction de la valeur de 2012 en appliquant un taux de 7 %.

Coopération et harmonisation en réglementation

Les contrôles prévus dans le décret proposé ont été expressément négociés et définis afin d’assurer leur alignement sur ceux des alliés et partenaires du Canada. Ces partenaires en sont à différents stades de la mise en Å“uvre de contrôles nationaux conformes à ceux décrits dans le décret proposé. Par exemple, en septembre 2025, la Commission européenne a publié des ébauches de contrôles alignés sur le décret proposé qui s’appliqueraient dans ses 27 États membres. On s’attend à ce que des contrôles uniformes soient adoptés dans pas moins de 40 pays, renforçant ainsi l’efficacité globale des contrôles pour prévenir le détournement et l’utilisation non autorisée.

Obligations internationales

Le décret proposé n’aurait aucune incidence sur les obligations internationales officielles du Canada. Le Canada, ses alliés et ses partenaires s’entendent sur l’importance de la coopération en matière de contrôles à l’exportation des marchandises et technologies essentielles et émergentes pour promouvoir la sécurité internationale, et sont déterminés à travailler ensemble à la mise en Å“uvre des contrôles nationaux nécessaires. Par exemple, les récentes déclarations du G7 (juin 2023, [ARCHIVÉE] décembre 2023, [ARCHIVÉE] juin 2024) soulignent la nécessité d’intensifier les efforts en matière de contrôles à l’exportation afin de parer aux risques et de s’assurer que les lacunes dans les contrôles à l’exportation des marchandises et technologies à double usage ne puissent être exploitées.

Effets sur l’environnement

Conformément à la Directive du Cabinet sur l’évaluation environnementale des projets de politiques, de plans et de programmes, une analyse préliminaire a permis de conclure qu’une évaluation environnementale stratégique n’est pas nécessaire.

Analyse comparative entre les sexes plus

Une analyse comparative entre les sexes plus (ACS+) a été réalisée. Le décret proposé ne devrait pas avoir d’incidences différentielles fondées sur le sexe ou d’autres facteurs d’identité. En application de la LLEI, les demandes de licence d’exportation de matériel militaire contrôlé doivent être évaluées en fonction du risque que l’exportation soit utilisée pour commettre ou faciliter des actes graves de violence fondée sur le genre et de violence à l’égard des femmes et des enfants. La ministre des Affaires étrangères ne peut pas délivrer de licence s’il existe un risque sérieux que l’exportation soit utilisée pour commettre ou faciliter de tels actes. Cette exigence est étendue à tous les autres articles contrôlés en application de la politique du Ministère.

Mise en œuvre, conformité et application, et normes de service

Mise en Å“uvre

Comme le veut la pratique de longue date en matière d’exportations stratégiques, le décret proposé entrerait en vigueur 30 jours après le jour de sa publication dans la Partie II de la Gazette du Canada afin de donner aux parties concernées le temps de prendre connaissance des nouveaux contrôles et de demander une licence d’exportation avant la date d’entrée en vigueur. Aucune licence ne serait requise pour les exportations vers les États-Unis. Le décret proposé serait en outre publié sur le site Web du Ministère et un avis serait également communiqué aux intervenants par l’intermédiaire de l’application Web du Ministère intitulée Système des contrôles des exportations en direct (NCEED).

Conformité et application

Toutes les exportations ou tous les transferts d’articles par quelque moyen que ce soit, y compris les données techniques, l’assistance technique et les renseignements nécessaires à la mise au point, à la production ou à l’utilisation d’un article contrôlé en application de la LMEC doivent être autorisés au moyen d’une licence d’exportation. L’Agence des services frontaliers du Canada et la Gendarmerie royale du Canada sont responsables de l’application des contrôles des exportations. En outre, dans le cadre de l’initiative Science en sécurité, Affaires mondiales Canada, en collaboration avec Sécurité publique Canada, mène régulièrement des activités de sensibilisation auprès du milieu universitaire et des intervenants concernés afin de les informer et de les sensibiliser au régime de contrôle des exportations du Canada. Cette protection active permet de s’assurer que les intervenants intéressés restent informés des exigences réglementaires, ce qui contribue à améliorer la conformité.

Normes de service

Les normes de service pour l’évaluation et la délivrance des licences d’exportation sont énoncées dans le Manuel des contrôles du courtage et à l’exportation d’Affaires mondiales Canada. À compter de la date de réception d’une demande de licence complète, il est prévu que, dans 90 % des cas, une décision sur la demande soit rendue dans les 10 jours ouvrables lorsque des consultations externes à la Direction des activités de contrôle des exportations ne sont pas requises, et dans les 40 jours ouvrables lorsque des consultations sont requises. Ces normes sont comparables à celles des organismes de réglementation internationaux qui appliquent des contrôles similaires.

Le respect de la norme de service dépend de la complexité de l’exportation proposée, notamment des détails de la transaction proposée et du contexte général. Si une partie quelconque d’une demande déclenche une consultation à l’extérieur de la Direction des activités de contrôle des exportations, les demandeurs en sont généralement informés dès le début du processus.

Personne-ressource

Charles Thompson
Analyste politique principal par intérim
Direction de la politique de contrôle des exportations – ITR
Affaires mondiales Canada
125, promenade Sussex
Ottawa (Ontario)
K1A 0G2
Courriel : expctrlpol@international.gc.ca

PROJET DE RÉGLEMENTATION

Avis est donné que la gouverneure en conseil, en vertu de l’alinéa 3(1)a) et de l’article 6^{référence a} de la Loi sur les licences d’exportation et d’importation ^{référence b}, se propose de prendre le Décret modifiant la Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôlée, ci-après.

Les intéressés peuvent présenter leurs observations au sujet du projet de décret dans les trente jours suivant la date de publication du présent avis. Ils sont fortement encouragés à le faire au moyen de l’outil en ligne disponible à cet effet sur le site Web de la Gazette du Canada. S’ils choisissent plutôt de présenter leurs observations par courriel, ils sont priés d’y citer la Partie I de la Gazette du Canada, ainsi que la date de publication du présent avis, et d’envoyer le tout au courriel suivant : expctrlpol@international.gc.ca.

Ottawa, le 16 avril 2026

La greffière adjointe intérimaire du Conseil privé
Janna Rinaldi

Décret modifiant la Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôlée

Modifications

1 (1) Le paragraphe 5506(1) de l’annexe de la Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôlée ^{référence 2} est remplacé par ce qui suit :

5506 (1) Pour l’application du présent article, calculateur numérique, composite, développement, ensembles électroniques, laser, logiciel, matrice, production, substrat, substrats bruts, technologie, transistor à effet de champ à grille environnante (Gate-All-Around) (GAAFET) et utilisation ont le sens que le Guide leur attribue sous l’intertitre « Définitions des termes utilisés dans les groupes 1 et 2 Â».

(2) Les sous-alinéas 5506(2)a)(i) et (ii) de l’annexe de la même liste sont remplacés par ce qui suit :

• (i) les logiciels spécialement conçus ou modifiés pour le développement ou la production d’articles visés aux divisions c)(ii)(B) ou (C) ou à l’un des sous-alinéas c)(iii) ou (vi) ou à l’alinéa d),
• (ii) les logiciels spécialement conçus pour l’utilisation d’articles visés aux divisions d)(iv)(C), (D), (G) à (P),

(3) Le sous-alinéa 5506(2)a)(iv) de l’annexe de la même liste est abrogé.

(4) Le sous-alinéa 5506(2)b)(i) de l’annexe de la même liste est remplacé par ce qui suit :

• (i) les technologies spécialement conçues ou modifiées pour le développement ou la production d’articles visés au sous-alinéa c)(i) ou aux divisions c)(ii)(B) ou (C) ou à l’un des sous-alinéas c)(iii) à (vii) ou aux sous-alinéas d) ou e),

(5) Le sous-alinéa 5506(2)b)(iv) de l’annexe de la même liste est modifié, par adjonction, de ce qui suit :

• (iv) les technologies spécialement conçues ou modifiées pour l’utilisation des ordinateurs, des ensembles électroniques ou des composants visés au sous-alinéa c)(vi),
• (v) les technologies visant le développement de logiciels spécialement conçues ou modifiées pour produire des équipements à fabrication additive visés au sous-alinéa d)(ii),

(6) Le sous-alinéa 5506(2)c)(iv) de l’annexe de la même liste est modifié par adjonction, de ce qui suit :

• (v) les circuits intégrés comportant au moins une unité de traitement numérique dont le rendement de traitement total (RTT) est de 6000 ou plus.
  • NOTA :
    • 1 Dans le cas des calculateurs numériques et des ensembles électroniques comportant des circuits intégrés visés à l’alinéa c)(v) voir le sous-alinéa c)(vi).
    • 2 Le rendement de traitement total (RTT) est calculé selon la formule 2 x MacTOPS x longueur en bits de l’opération, dont le produit est agrégé pour l’ensemble des unités de traitement du circuit intégré.
    • 2a MacTOPS s’entend du nombre maximal théorique de téra(10¹²)-opérations par seconde (TOPS), pour un calcul de multiplication-accumulation [D=AxB+C].
    • 2b Dans la formule de RTT, le chiffre 2 s’entend de la convention industrielle qui consiste à considérer la multiplication-accumulation (D=AxB+C) comme deux opérations telles que rapportées dans les feuilles données. Aussi, les TOPS ou les opérations en virgule flottante par seconde (Floating-Point Operations per Second – FLOPS) indiquées dans une feuille de données peuvent correspondre à 2 x MacTOPS.
    • 2c La longueur en bits de l’opération s’entend de la plus grande longueur en bits des entrées de l’opération de multiplication pour un calcul de multiplication-accumulation.
    • 2d On additionne les RTT de chaque unité de traitement d’un circuit intégré pour obtenir la somme : RTT = RTT1 + RTT2 + .... + RTTn (où n est le nombre d’unités de traitement du circuit intégré).
    • 3 Le MacTOPS est calculé d’après sa valeur théorique maximale qui est présumée être la valeur supérieure signalée dans le manuel du frabricant qui porte sur les circuits intégrés, par exemple le seuil de RTT de 6000 est atteint à 750 téra-opérations de nombres entiers (ou 2 x 375 MacTOPS) à 8 bits. Lorsque le circuit intégré est conçu pour un calcul de multiplication-accumulation qui présente de multiples longueurs en bits et mène à des valeurs de RTT différentes, la valeur supérieure devrait être évaluée en comparaison avec les paramètres prévus au sous-alinéa c)(v).
    • 4 À l’égard des circuits intégrés qui assurent le traitement de matrices diffuses et denses, les valeurs de RTT sont celles de traitement de matrices denses (qui ne sont pas diffuses).
• (vi) les ordinateurs, les ensembles éléctroniques et les composants comportant au moins un circuit intégré visé au sous-alinéa (v),
  • NOTA :
    • Au sous-alinéa (vi) ordinateurs comprend notamment les calculateurs numériques et les calculateurs hybrides .
• (vii) les ensembles électroniques, les modules ou les équipements, comportant au moins un dispositif logique programmable par l’utilisateur (FPLD) — qui est configurable par l’utilisateur — et qui est doté d’un compte total d’entrées de table de recherche de 1 800 000 ou plus,
  • NOTA :
    • 1 Dans le cas des ensembles électroniques, des modules ou des équipements comportant des dispositifs logiques programmables par l’utilisateur qui sont conjugués à un convertisseur analogique-numérique, qui sont prévus pour fonctionner à des températures prolongées ou qui sont résistants aux radiations, ou qui présentent une fonction cryptographique, voir 1-3.A.2.h., 1-4.A.1.a et 1-5.A.2.a. du Guide.
    • 2 Pour l’application du sous alinéa (vii), configurable par l’utilisateur s’entend du fait qu’un utilisateur peut configurer ou modifier, dans la matrice logique d’un dispositif logique programmable, des cellules logiques ou des interconnexions entre celles-ci, afin d’attribuer une fonction particulière à des ensembles électroniques, des modules ou des équipements qui sont visés à cet alinéa.
    • 3 Le compte total d’entrées de table de recherche s’entend de la somme des entrées indépendantes disponibles dans chacune des tables de recherche programmables physiques d’un dispositif logique programmable par l’utilisateur ou d’un autre article programmable. Par exemple, une carte de circuits imprimés qui comprend deux circuits à matrice de portes programmables par l’utilisateur (FPGA) renfermant chacune 150 000 tables de recherche programmables à six entrées présente un compte total d’entrées de table de recherche de 2 x 150 000 x 6 = 1 800 000.

(7) Les sous-alinéas 5506(2)d)(i) à (viii) de l’annexe de la même liste sont remplacés par ce qui suit :

• (i) les équipements de microscopie électronique à balayage (MEB) conçus pour l’imagerie de dispositifs à semi-conducteurs ou de circuits intégrés présentant toutes les caractéristiques suivantes :
  • (A) une précision de positionnement de la platine inférieure à (meilleure que) 30 nm,
  • (B) l’obtention de la mesure du positionnement de la platine par interférométrie laser,
  • (C) l’étalonnage de position à l’intérieur d’un champ de vision basé sur la mesure de l’échelle de longueur de l’interféromètre laser,
  • (D) la capacité de collecter et de stocker des images ayant plus de 2 x 108 pixels,
  • (E) un chevauchement de champ de vision de moins de 5 % dans les directions verticale et horizontale,
  • (F) un chevauchement de couture de champ de vision de moins de 50 nm,
  • (G) une tension d’accélération de plus de 21 kV,
    • NOTA :
      • 1 Le sous-alinéa (i) comprend les équipements MEB conçus pour la récupération de la conception des puces.
      • 2 Le sous-alinéa (i) ne s’applique pas aux équipements MEB conçus pour accepter un porte plaquette conforme à la norme de l’association Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI), par exemple un caisson normalisé à ouverture frontale (Front Opening Unified Pod ou FOUP) de 200 mm ou plus.
• (ii) les équipements à fabrication additive qui sont conçus pour produire des composants constitués de métaux ou d’alliages métalliques et qui répondent aux critères ci-après, ainsi que les composants spécialement conçus pour ceux-ci :
  • (A) l’une des sources de consolidation est :
    • (I) un laser,
    • (II) un faisceau électronique,
    • (III) un arc électrique,
  • (B) lors de la fabrication, l’atmosphère contrôlée est constituée :
    • (I) soit d’un gaz inerte,
    • (II) soit d’un vide (pression égale ou inférieurs de 100 Pa),
  • (C) les équipements à configuration coaxiale ou à configuration paraxiale servant au contrôle en cours de procédé sont dotés :
    • (I) d’une caméra d’imagerie ayant une réponse de crête dont la longueur d’onde est de plus de 380 nm sans dépasser 14 000 nm,
    • (II) d’un pyromètre conçu pour mesurer des températures supérieures à 1273,15 K (1000 Â°C),
    • (III) d’un radiomètre ou un spectromètre ayant une réponse de crête dont la longueur d’onde est de plus de 380 nm sans dépasser 3000 nm,
  • (D) les systèmes de commande à boucle fermée qui sont conçus pour modifier les paramètres des sources de consolidation, les chemins de fabrication ou les réglages de l’équipement pendant le cycle de fabrication, utilisent la rétroaction des équipements de contrôle en cours de procédé visés à la division (C),
    • NOTA :
      • 1 Aux divisions (C) et (D), contrôle en cours de procédé, ou surveillance de procédé in situ, s’entend de l’observation du procédé de fabrication additive, et de la prise de mesures à cet égard notamment, la prise de mesures visant les émissions électromagnétiques ou thermiques du bain de fusion.
      • 2 À la division (C), configuration coaxiale, ou configuration en ligne, s’entend de la configuration dans laquelle au moins un capteur est fixé dans le chemin optique du laser qui est la source de consolidation.
      • 3 À la division (C), configuration paraxiale s’entend de la configuration dans laquelle au moins un capteur est fixé ou intégré au laser, au faisceau d’électrons ou à l’arc électrique qui est la source de consolidation.
      • 4 À la division (C), s’agissant de la configuration coaxiale et de la configuration paraxiale, le champ de vision des capteurs est rattaché au cadre mobile de la source de consolidation et se déplace, tout au long du procédé de fabrication, selon la trajectoire de balayage.
• (iii) les équipements d’essai sous pointe cryogénique de plaquettes conçus pour réaliser des essais de dispositifs à une température de 4,5K (−268,65°C) ou moins et pour recevoir des plaquettes d’un diamètre de 100 mm et plus;
• (iv) les équipements pour la fabrication de dispositifs ou de matériaux semi-conducteurs ci-après, ainsi que leurs composants et accessoires spécialement conçus :
  • (A) les masques et les réticules conçus pour les circuits intégrés visés aux sous-alinéas c)(i) et (v),
  • (B) les gabarits de lithographie par impression conçus pour les circuits intégrés visés aux sous-alinéas c)(i) et (v),
  • (C) les équipements conçus ou modifiés pour la gravure sèche isotropique présentant une sélectivité de la gravure de silicium-germanium à silicium (SiGe :Si) de 100:1 ou plus,
    • NOTA :
      • Pour l’application de la division (C), la sélectivité de la gravure de silicium-germanium à silicium (SiGe :Si) est mesurée pour une concentration de germanium (Ge) supérieure ou égale à 30 % (Si0,70Ge0,30).
  • (D) les équipements conçus ou modifiés pour la gravure sèche anisotropique présentant toutes les caractéristiques suivantes :
    • (I) une ou plusieurs sources d’énergie radiofréquence (RF) avec au moins une sortie RF pulsée,
    • (II) au moins une vanne à commutation de gaz rapide ayant un temps de commutation inférieure à 300 ms,
    • (III) un mandrin électrostatique de vingt éléments ou plus à température variable réglables individuellement,
      • NOTA :
        • 1 Les divisions (C) et (D) comprennent la gravure par radicaux — Ã  savoir un atome, une molécule ou un ion qui possède un électron non apparié dans une configuration de couche électronique ouverte —, par ions, par réactions séquentielles ou par réactions non séquentielles.
        • 2 La division (D) comprend la gravure à l’aide de plasma excité par impulsions RF, de plasma excité par cycle pulsé, de plasma modifié avec tension pulsée sur les électrodes, d’injection et purge cycliques de gaz combinés avec un plasma, de gravure de couche atomique par plasma ou de gravure de couche quasi-atomique par plasma.
  • (E) les masques et les réticules de lithographie par ultraviolet extrême (UVE) conçus pour des circuits intégrés et comprenant des blancs de substrat pour masque visés à l’alinéa 1-3.B.1.j du Guide,
    • NOTA :
      • La division (E) s’applique également aux masques et réticules à pellicule.
  • (F) les pellicules spécialement conçues pour la lithographie par ultraviolet extrême (UVE),
    • NOTA :
      • 1 Aux divisions (E) et (F), pellicule s’entend de la membrane intégrée à un cadre et conçue pour protéger le masque ou le réticule de la contamination par particules.
      • 2 Aux divisions (E) et (F), ultraviolet extrême (UVE) s’entend de longueurs d’onde du spectre électromagnétique supérieures à 5 nm et inférieures à 124 nm.
  • (G) les équipements de lithographie photorépéteurs d’alignement et d’exposition (photo-répéteurs directs) ou les équipements de répétition et d’exploration (explorateurs) pour le traitement de plaquettes utilisant des méthodes optiques ou à rayons X et présentant toutes les caractéristiques suivantes :
    • (I) une source lumineuse dont la longueur d’onde est de 193 nm ou plus,
    • (II) la capacité de produire des figures dont la dimension de l’élément résoluble minimal (ÉRM) est de 45 nm ou moins,
    • (III) une valeur maximale de recouvrement par mandrin spécial (Dedicated Chuck Overlay – DCO) est de 1,50 nm ou moins,
      • NOTA :
        • 1 À la sous-division (II) la dimension de l’élément résoluble minimal (ÉRM) est calculée à l’aide de la formule suivante : ÉRM = (longueur d’onde de la source lumineuse d’exposition en nm) multipliée par le (facteur K)/ (ouverture numérique maximale, où le facteur K = 0,25. La ÉRM est aussi appelée résolution.
        • 2 À la sous-division (III) le recouvrement par mandrin spécial s’entend de la précision de l’alignement d’un nouveau motif sur un motif existant imprimé sur une plaquette par le même système lithographique. Le recouvrement par mandrin spécial est aussi appelé recouvrement par une seule machine.
  • (H) les équipements conçus pour la croissance épitaxiale du silicium (Si) ou du silicium germanium (SiGe) et présentant toutes les caractéristiques suivantes :
    • (I) une chambre de nettoyage ou plus qui permet de préparer la surface d’une tranche par nettoyage,
    • (II) une chambre de dépôt épitaxial conçue pour fonctionner à une température inférieure à 958 K (685 Â°C),
      • NOTA :
        • Sont également visés les équipements d’épitaxie par couche atomique (ALE).
  • (I) les équipements de déposition pour la fabrication de semi-conducteurs, pour le dépot de couches atomiques (ALD) suivants :
    • (I) les équipements conçus pour le dépôt de tungstène pouvant remplir une interconnexion complète ou un canal d’une largeur de moins de 40 nm,
    • (II) les équipements conçus pour le dépôt sélectif en surface d’une barrière de paroi latérale d’un métal ou d’un métal-nitrure en utilisant un composé organométallique comme précurseur,
      • NOTA :
        • À la sous-subdivision (2), dépôt sélectif en surface s’entend du dépôt d’un matériau sur le côté, mais pas sur le fond de la structure.
    • (III) les équipements conçus pour le dépôt d’un métal à travail d’extraction composé de carbure de titane-aluminium (TiAlC) et dont le travail d’extraction est supérieure à 4,0 eV, qui possèdent, à la fois, les caractéristiques suivantes :
      • 1 plus d’une source métallique, dont l’une fonctionne comme source de précurseur d’aluminium,
      • 2 conteneur de précurseur conçu pour fonctionner à une température de 303,15 K (30 Â°C) ou plus,
        • NOTA :
          • À la subdivision (III), métal à fonction à travail d’extraction s’entend d’un un matériau qui régule le seuil de tension d’un transistor.
  • (J) les équipements de déposition pour la fabrication de semi-conducteurs conçus pour les procédés de galvanoplastie au cobalt et de dépôt non électrolytique de cobalt ,
  • (K) les équipements de déposition pour la fabrication de semi-conducteurs conçus pour le dépôt chimique en phase vapeur de métal de remplissage au cobalt ,
  • (L) les équipements de déposition pour la fabrication de semi-conducteurs conçus pour le dépôt chimique en phase vapeur sélectif de bas en haut de métal de remplissage au tungstène,
    • NOTA :
      • Sélectif de bas en haut s’entend du dépôt d’un matériau sur le fond par rapport au côté d’une structure.
  • (M) les équipements de déposition pour la fabrication de semi-conducteurs conçus pour le dépôt plasmatique amélioré sans espace vide d’une couche avec une constante diélectrique inférieure à 3,3 dans des intervalles ayant un rapport d’aspect égal ou supérieur à 1:1 et une largeur inférieure à 25 nm.
    • NOTA :
      • 1 Intervalle est un espace entre des lignes de métal.
      • 2 Rapport d’aspect (profondeur : largeur) s’entend du rapport entre la profondeur et la largeur de l’intervalle entre les lignes de métal.
  • (N) les équipements de déposition pour la fabrication de semi-conducteurs conçus pour le dépôt d’une couche de ruthénium en utilisant un composé organométallique comme précurseur, tout en maintenant le substrat de la plaquette à une température supérieure à 293,15 K (20°C) et inférieure à 773,15 K (500°C),
  • (O) les équipements de déposition pour la fabrication de semi-conducteurs, ci-après, conçus pour le traitement en plusieurs étapes dans des chambres multiples et le maintien d’un vide élevé ou un environnement inerte pendant le transfert entre les étapes :
    • (I) les équipements conçus pour fabriquer un contact métallique en appliquant tous les traitements suivants :
      • 1 traitement de surface par plasma à base d’hydrogène, d’hydrogène et d’azote, ou d’ammoniac (NH₃), avec maintient du substrat de la plaquette à une température supérieure à 373,15 K (100°C) et inférieure à 773,15 K (500°C),
      • 2 traitement de surface au moyen de procédés plasmatiques en utilisant de l’oxygène ou de l’ozone, tout en maintenant le substrat de la plaquette à une température supérieure à 313,15 K (40°C) et inférieure à 773,15 K (500°C),
      • 3 dépôt d’une couche de tungstène en maintenant le substrat de la plaquette à une température supérieure à 373,15 K (100°C) et inférieure à 773,15 K (500°C);
    • (II) les équipements conçus pour fabriquer un contact métallique en appliquant tous les traitements suivants :
      • 1 traitement de surface au moyen de procédés plasmatiques en utilisant un générateur de plasma à distance et un filtre à ions,
      • 2 dépôt sélectif d’une couche de cobalt sur du cuivre en utilisant un composé organométallique comme précurseur;
    • (III) les équipements conçus pour fabriquer un contact métallique en appliquant tous les traitements suivants :
      • 1 dépôt d’une couche de nitrure de titanium (TiN) ou de carbure de tungstène (WC), en utilisant un composé organométallique comme précurseur, tout en maintenant le substrat de la plaquette à une température supérieure à 293,15 K (20°C) et inférieure à 773,15 K (500°C),
      • 2 dépôt d’une couche de cobalt par procédé physique de dépôt par pulvérisation avec une pression de fonctionnement supérieure à 1,33 x 10^-1 Pa (1 mTorr) et inférieure à 1,33 x 10¹ Pa (100 mTorr), tout en maintenant le substrat de la plaquette à une température inférieure à 773,15 K (500°C),
      • 3 dépôt d’une couche de cobalt en utilisant un composé organométallique comme précurseur avec une pression de fonctionnement supérieure à 1,33 x 10² Pa (1 Torr) et inférieure à 1,33 x 10⁴ Pa (100 Torr), tout en maintenant le substrat de la plaquette à une température supérieure à 293,15 K (20°C) et inférieure à 773,15 K (500°C);
    • (IV) les équipements destinés à la fabrication de semi-conducteurs, conçus pour fabriquer des interconnexions en cuivre en appliquant tous les traitements suivants :
      • 1 dépôt d’une couche de cobalt ou de ruthénium en utilisant un composé organométallique comme précurseur avec une pression de fonctionnement supérieure à 1,33 x 10² Pa (1 Torr) et inférieure à 1,33 x 10⁴ Pa (100 Torr), tout en maintenant le substrat de la plaquette à une température supérieure à 293,15 K (20°C) et inférieure à 773,15 K (500°C),
      • 2 dépôt d’une couche de cuivre par dépôt en phase vapeur par procédé physique avec une pression de fonctionnement supérieure à 1,33 x 10^-1 Pa (1 mTorr) et inférieure à 1,33 x 10¹ Pa (100 mTorr), tout en maintenant le substrat de la plaquette à une température inférieure à 773,15 K (500°C);
  • (P) les équipements destinées à la fabrication de semi-conducteurs, conçus pour fabriquer un contact métallique par un traitement en plusieurs étapes dans une seule chambre en appliquant tous les traitements :
    • (I) dépôt d’une couche de tungstène, en utilisant un composé organométallique comme précurseur, tout en maintenant le substrat de la plaquette à une température supérieure à 373,15 K (100°C) et inférieure à 773,15 K (500°C),
    • (II) traitement de surface au moyen de procédés plasmatiques en utilisant de l’hydrogène, de l’hydrogène et de l’azote, ou de l’ammoniac (NH₃);

(8) Le sous-alinéa 5506(2)e)(iii) de l’annexe de la même liste est modifié par adjonction :

• (iv) les poudres d’alliage à haute entropie ou de métaux réfractaires et leurs alliages, dont la surface a été modifiée avec des inoculants.
  • NOTA :
    • 1 Au sous-alinéa (iv), alliage à haute entropie s’entend d’un alliage comportant au moins 5 éléments métalliques principaux — parmi les éléments Al, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta ou W — chacun ayant une concentration atomique comprise entre 5 et 35 %.
    • 2 Au sous-alinéa (iv), inoculant s’entend de tout additif qui favorise la nucléation des grains et augmente la surface totale des joints de grains afin de restreindre la formation de défauts de solidification.
    • 3 Au sous-alinéa (iv), métaux réfractaires et leurs alliages s’entend des métaux et alliages de niobium, de molybdène, de tungstène et de tantale.

Entrée en vigueur

2 Le présent décret entre en vigueur le trentième jour suivant la date de sa publication dans la Partie II de la Gazette du Canada.

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